据外媒报道，美国德克萨斯州一家联邦地方法院的陪审团周五裁定，三星电子侵犯韩国一家大学的专利，需向后者赔偿4亿美元。

三星电子侵犯韩国科学技术院的专利与inet（鳍式场效应晶体管）相关，它是一种新的互补式金氧半导体晶体管。inT命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性，这种设计可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。

韩国科学技术院的专利部门KIST IP在诉讼中指出，三星电子最初并不看好inet技术研究，认为它只是一种时尚。但是在三星电子的竞争对手英特尔开始授权这项专利并开发自己的产品后，这一切都发生了变化。2011年，英特尔推出商业化的inT，并把它使用在22纳米节点的工艺中。三星电子在2015年率先把inT技术应用于10纳米制程。

作为当前全球最大的芯片制造商，三星电子向陪审团表示，该公司与韩国科学技术院共同合作开发inet技术，否认侵犯了该技术专利。三星电子还对专利的有效性提出了质疑。

陪审团在经过审理后裁定，三星电子的侵权行为属于故意或有意为之，这意味着法官可以将损害赔偿额提高到陪审团设定的三倍。

这起诉讼案标志着韩国顶尖科研机构与对该国经济至关重要的公司之间的冲突。

截至目前，双方的辩护律师均拒绝对裁定发表评论。

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